电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2007年
1期
126-128
,共3页
李竞春%韩春%周谦%张静%徐婉静
李競春%韓春%週謙%張靜%徐婉靜
리경춘%한춘%주겸%장정%서완정
SiGe%应变Si%低温Si%PMOSFET
SiGe%應變Si%低溫Si%PMOSFET
SiGe%응변Si%저온Si%PMOSFET
针对应变Si PMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(＞1μm),采用了低温Si技术试制出240 nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET.器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%.器件性能可与采用1 μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟.
針對應變Si PMOSFET的弛豫SiGe虛擬襯底厚度大的問題(＞1μm),採用瞭低溫Si技術試製齣240 nm厚虛襯底的應變Si溝道PMOSFET.器件顯示齣良好的直流特性,其跨導和空穴遷移率比傳統Si器件分彆提高瞭30%和50%.器件性能可與採用1 μm以上SiGe虛襯底的PMOSFET器件相比擬.
침대응변Si PMOSFET적이예SiGe허의츤저후도대적문제(＞1μm),채용료저온Si기술시제출240 nm후허츤저적응변Si구도PMOSFET.기건현시출량호적직류특성,기과도화공혈천이솔비전통Si기건분별제고료30%화50%.기건성능가여채용1 μm이상SiGe허츤저적PMOSFET기건상비의.
