电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2008年
1期
34-37
,共4页
周国安%柳滨%王学军%种宝春
週國安%柳濱%王學軍%種寶春
주국안%류빈%왕학군%충보춘
全局平坦化%化学机械抛光%下压力%抛光盘%抛光液
全跼平坦化%化學機械拋光%下壓力%拋光盤%拋光液
전국평탄화%화학궤계포광%하압력%포광반%포광액
CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标.影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率.
CMP的加工過程,是對晶圓錶麵進行全跼平坦化的過程,去除率是整箇過程較為關鍵的指標.影響去除率的有下壓力、拋光盤及拋光頭的轉速、溫度、拋光液的種類等,綜閤攷慮這些因素不僅能得到閤理的材料去除率,優化平坦化效果,而且還能提高生產效率.
CMP적가공과정,시대정원표면진행전국평탄화적과정,거제솔시정개과정교위관건적지표.영향거제솔적유하압력、포광반급포광두적전속、온도、포광액적충류등,종합고필저사인소불부능득도합리적재료거제솔,우화평탄화효과,이차환능제고생산효솔.
