科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2008年
21期
5812-5816
,共5页
带隙基准%快速启动%过温保护%电源抑制比
帶隙基準%快速啟動%過溫保護%電源抑製比
대극기준%쾌속계동%과온보호%전원억제비
设计了一种新颖的具有快速启动的高性能CMOS带隙基准,利用PN结正向导通压降具有负温度系数,偏置电路提供的偏置电流具有正温度系数,实现了过温保护.采用上华0.5 μm的CMOS工艺模型进行设计和仿真,Cadence spectre模拟结果表明带隙基准电压为1.242 V.该电路温度系数低,电源抑制比高,启动速度快(启动时间仅10 μs),过温保护性能良好.
設計瞭一種新穎的具有快速啟動的高性能CMOS帶隙基準,利用PN結正嚮導通壓降具有負溫度繫數,偏置電路提供的偏置電流具有正溫度繫數,實現瞭過溫保護.採用上華0.5 μm的CMOS工藝模型進行設計和倣真,Cadence spectre模擬結果錶明帶隙基準電壓為1.242 V.該電路溫度繫數低,電源抑製比高,啟動速度快(啟動時間僅10 μs),過溫保護性能良好.
설계료일충신영적구유쾌속계동적고성능CMOS대극기준,이용PN결정향도통압강구유부온도계수,편치전로제공적편치전류구유정온도계수,실현료과온보호.채용상화0.5 μm적CMOS공예모형진행설계화방진,Cadence spectre모의결과표명대극기준전압위1.242 V.해전로온도계수저,전원억제비고,계동속도쾌(계동시간부10 μs),과온보호성능량호.
