真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
2期
125-129
,共5页
申灿%黄光周%马国欣%叶位彬%朱建明%戴晋福
申燦%黃光週%馬國訢%葉位彬%硃建明%戴晉福
신찬%황광주%마국흔%협위빈%주건명%대진복
原子层沉积%计算机仿真%三氧化二铝%生长速率
原子層沉積%計算機倣真%三氧化二鋁%生長速率
원자층침적%계산궤방진%삼양화이려%생장속솔
通过对原子层沉积过程的计算机仿真,分析不同沉积条件对沉积过程的影响.以H-Si(100)表面原子层沉积Al2O3的过程为基础,通过分析基片上不同表面功能团之间的相互作用,将整个沉积过程分为初始沉积和后续生长两个阶段.基于不同的阶段建立相应的前驱体到达事件模型、反应事件模型以及表面解吸事件模型.采用动力学晶格蒙特卡罗方法实现这一沉积过程的仿真.实现了不同温度、不同真空条件下Al2O3的原子层沉积仿真.结果表明:在一定的范围内,前驱体或基片的温度高,反应室真空度低,薄膜生长速率的增长快,表面粗糙度小;基片温度对于薄膜沉积过程的影响最大,其阈值约为200℃.而且薄膜的生长趋势由初始的三维岛状生长向二维层状生长逐渐转变.
通過對原子層沉積過程的計算機倣真,分析不同沉積條件對沉積過程的影響.以H-Si(100)錶麵原子層沉積Al2O3的過程為基礎,通過分析基片上不同錶麵功能糰之間的相互作用,將整箇沉積過程分為初始沉積和後續生長兩箇階段.基于不同的階段建立相應的前驅體到達事件模型、反應事件模型以及錶麵解吸事件模型.採用動力學晶格矇特卡囉方法實現這一沉積過程的倣真.實現瞭不同溫度、不同真空條件下Al2O3的原子層沉積倣真.結果錶明:在一定的範圍內,前驅體或基片的溫度高,反應室真空度低,薄膜生長速率的增長快,錶麵粗糙度小;基片溫度對于薄膜沉積過程的影響最大,其閾值約為200℃.而且薄膜的生長趨勢由初始的三維島狀生長嚮二維層狀生長逐漸轉變.
통과대원자층침적과정적계산궤방진,분석불동침적조건대침적과정적영향.이H-Si(100)표면원자층침적Al2O3적과정위기출,통과분석기편상불동표면공능단지간적상호작용,장정개침적과정분위초시침적화후속생장량개계단.기우불동적계단건립상응적전구체도체사건모형、반응사건모형이급표면해흡사건모형.채용동역학정격몽특잡라방법실현저일침적과정적방진.실현료불동온도、불동진공조건하Al2O3적원자층침적방진.결과표명:재일정적범위내,전구체혹기편적온도고,반응실진공도저,박막생장속솔적증장쾌,표면조조도소;기편온도대우박막침적과정적영향최대,기역치약위200℃.이차박막적생장추세유초시적삼유도상생장향이유층상생장축점전변.
