固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
362-365,401
,共5页
田野%石瑞英%龚敏%何志刚%蔡娟露%温景超
田野%石瑞英%龔敏%何誌剛%蔡娟露%溫景超
전야%석서영%공민%하지강%채연로%온경초
电子辐照%砷化镓异质结双极型晶体管%残余电压%集电极饱和电压
電子輻照%砷化鎵異質結雙極型晶體管%殘餘電壓%集電極飽和電壓
전자복조%신화가이질결쌍겁형정체관%잔여전압%집전겁포화전압
研究了GaAs HBT高能电子(～1 MeV)辐照的总剂量效应.结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同.所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大.因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因.
研究瞭GaAs HBT高能電子(～1 MeV)輻照的總劑量效應.結果錶明,電子輻照後GaAs HBT的基極電流增大,輻照損傷程度隨輻照總劑量增加而增加,這和其他研究觀察到的現象相同.所不同的是,實驗中髮現隨輻照劑量增大器件集電極飽和電壓、殘餘電壓均增大.因此認為,高能電子輻照造成的位移損傷在GaAs HBT集電區和BC結內誘生的大量複閤中心使集電極串聯電阻增大,以及BE、BC結內形成的複閤中心俘穫結內載流子使載流子濃度降低造成BE、BC結自建電勢差下降是集電極飽和電壓和殘餘電壓增加的主要原因.
연구료GaAs HBT고능전자(～1 MeV)복조적총제량효응.결과표명,전자복조후GaAs HBT적기겁전류증대,복조손상정도수복조총제량증가이증가,저화기타연구관찰도적현상상동.소불동적시,실험중발현수복조제량증대기건집전겁포화전압、잔여전압균증대.인차인위,고능전자복조조성적위이손상재GaAs HBT집전구화BC결내유생적대량복합중심사집전겁천련전조증대,이급BE、BC결내형성적복합중심부획결내재류자사재류자농도강저조성BE、BC결자건전세차하강시집전겁포화전압화잔여전압증가적주요원인.
