微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
7期
450-453,468
,共5页
微机电系统(MEMS)%非致冷红外传感器%VOx%直流磁控溅射%电阻温度系数(TCR)
微機電繫統(MEMS)%非緻冷紅外傳感器%VOx%直流磁控濺射%電阻溫度繫數(TCR)
미궤전계통(MEMS)%비치랭홍외전감기%VOx%직류자공천사%전조온도계수(TCR)
基于VO<,x>的非致冷红外传感器是当前MEMS的研究热点.VO<,x>的制作是关键工艺,而VO<,x>多价态共存,优化工艺以提高VO<,2>在VO<,x>中的比例、制备高性能的VO<,x>薄膜为核心技术.采用直流磁控溅射法,对量产型PVD机台进行了技术改造,在溅射过程中用电压同时控制靶材溅射速率和氧气流量,少量的氩气充当靶材的保护气体.溅射完成后在350℃下退火约3 h以降低噪声和残余应力.经测试,得到的氧化钒薄膜电阻温度系数(TCR)的绝对值大于2.8%/K,EDX分析得V和O的原子数比约为1:1.8,像元均匀性优于5%,封装后样品等效噪声温差小于100 mK,并给出了384×288阵列样品的红外成像效果图.结果表明:采用的方法有助于实现相关成像阵列的量产化.
基于VO<,x>的非緻冷紅外傳感器是噹前MEMS的研究熱點.VO<,x>的製作是關鍵工藝,而VO<,x>多價態共存,優化工藝以提高VO<,2>在VO<,x>中的比例、製備高性能的VO<,x>薄膜為覈心技術.採用直流磁控濺射法,對量產型PVD機檯進行瞭技術改造,在濺射過程中用電壓同時控製靶材濺射速率和氧氣流量,少量的氬氣充噹靶材的保護氣體.濺射完成後在350℃下退火約3 h以降低譟聲和殘餘應力.經測試,得到的氧化釩薄膜電阻溫度繫數(TCR)的絕對值大于2.8%/K,EDX分析得V和O的原子數比約為1:1.8,像元均勻性優于5%,封裝後樣品等效譟聲溫差小于100 mK,併給齣瞭384×288陣列樣品的紅外成像效果圖.結果錶明:採用的方法有助于實現相關成像陣列的量產化.
기우VO<,x>적비치랭홍외전감기시당전MEMS적연구열점.VO<,x>적제작시관건공예,이VO<,x>다개태공존,우화공예이제고VO<,2>재VO<,x>중적비례、제비고성능적VO<,x>박막위핵심기술.채용직류자공천사법,대양산형PVD궤태진행료기술개조,재천사과정중용전압동시공제파재천사속솔화양기류량,소량적아기충당파재적보호기체.천사완성후재350℃하퇴화약3 h이강저조성화잔여응력.경측시,득도적양화범박막전조온도계수(TCR)적절대치대우2.8%/K,EDX분석득V화O적원자수비약위1:1.8,상원균균성우우5%,봉장후양품등효조성온차소우100 mK,병급출료384×288진렬양품적홍외성상효과도.결과표명:채용적방법유조우실현상관성상진렬적양산화.
