调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变
조제참잡AlxGa1-xN/GaN이질결구적미응변
Microstrain in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2002年 10期 799-804 ,共6页

    谭伟石%沙昊%沈波%蔡宏灵%吴小山%蒋树声%郑文莉%贾全杰%姜晓明

    담위석%사호%침파%채굉령%오소산%장수성%정문리%가전걸%강효명

    AlxGa1-xN/GaN异质结构%高分辨X射线衍射%微结构%应变%弛豫线模型 AlxGa1-xN/GaN異質結構%高分辨X射線衍射%微結構%應變%弛豫線模型
    AlxGa1-xN/GaN이질결구%고분변X사선연사%미결구%응변%이예선모형
    用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)测量了其对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间图(RSM).分析结果表明,势垒层内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联,当厚度大于750时,势垒层开始发生应变弛豫,临界厚度大于500.势垒层具有一种"非常规"应变弛豫状态,这种状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关.
    용MOCVD방법재(0001)취향적람보석(α-Al2O3)츤저상생장료불동세루층후도적Al0.22Ga0.78N/GaN이질결구,이용고분변X사선연사(HRXRD)측량료기대칭반사(0002)화비대칭반사(1014)적도역공간도(RSM).분석결과표명,세루층내부미결구여응변상태화하층i-GaN적미결구여응변상태호상관련,당후도대우750시,세루층개시발생응변이예,림계후도대우500.세루층구유일충"비상규"응변이예상태,저충상태적래원가능여n-AlGaN적내부결함이급i-GaN/α-Al2O3계면응변이예상태유관.
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