太原理工大学学报
太原理工大學學報
태원리공대학학보
JOURNAL OF TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
1999年
2期
191-193
,共3页
李秀燕%张世表%潘士宏%李麓维
李秀燕%張世錶%潘士宏%李麓維
리수연%장세표%반사굉%리록유
硅化物%电阻率%织构
硅化物%電阻率%織構
규화물%전조솔%직구
对厚度约为0.4 μm的CoSi2多晶薄膜的电学性质进行了研究.在-200℃～20℃温度范围,测量了CoSi2薄膜的电阻率.室温下,电阻率为9～20 μΩ.cm.随着温度的降低,电阻率减小,且表现出较好的直线性.
對厚度約為0.4 μm的CoSi2多晶薄膜的電學性質進行瞭研究.在-200℃～20℃溫度範圍,測量瞭CoSi2薄膜的電阻率.室溫下,電阻率為9～20 μΩ.cm.隨著溫度的降低,電阻率減小,且錶現齣較好的直線性.
대후도약위0.4 μm적CoSi2다정박막적전학성질진행료연구.재-200℃～20℃온도범위,측량료CoSi2박막적전조솔.실온하,전조솔위9～20 μΩ.cm.수착온도적강저,전조솔감소,차표현출교호적직선성.
