阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用
음겁형광연합분석계통재Ⅲ족담화물연구중적응용
Research Applications in Ⅲ-nitrides with Cathodoluminescence Unitized Systems
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2008年 6期 1184-1188 ,共5页

    赵红%张荣%谢自力%刘斌%修向前%陆海%李亮%刘战辉%江若琏%韩平%郑有炓

    조홍%장영%사자력%류빈%수향전%륙해%리량%류전휘%강약련%한평%정유료

    阴极荧光联合分析系统%Ⅲ族氮化物%阴极荧光特性 陰極熒光聯閤分析繫統%Ⅲ族氮化物%陰極熒光特性
    음겁형광연합분석계통%Ⅲ족담화물%음겁형광특성
    利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.
    이용고성능음겁형광(CL)연합분석계통대궤류전형적Ⅲ족담화물재료진행측시분석.재광보연구중,이용CL자외정견광보계통,대c면람보석츤저상생장적AlxGa1-xN박막진행음겁형광단색보측시분석,게시료CL적격발강도여발광대지간적변화관계.진일보연구료참Mg적Al0.5Ga0.5N박막적대변화잡질능급발광궤리.이용CL근홍외광보계통대InN박막적음겁발광특성진행료연구,험증료InN실제광학대변E8재0.77eV부근.이용미구분석(CL mapping)계통,가재자외파단학절지급출재료불동파장적형광발광구저일특점,대HVPE생장적자지탱GaN츤저진행료SEM화CL미구적대비분석,연구료GaN적위착류형화분포.
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