半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
5期
401-403
,共3页
化学机械抛光%硅片%实验设计
化學機械拋光%硅片%實驗設計
화학궤계포광%규편%실험설계
适宜的抛光工艺参数对Si片表面平整度TTV、TIR、STIR等参数起到至关重要的作用.介绍了化学机械抛光(CMP)有效实现Si片全局和局部平坦化的方法和设施,指出并说明CMP是一种化学作用和机械作用相结合的技术,给出了其影响因素.利用DOE(design of experiment)实验方法,结合实际生产条件,获得并验证了最优化的生产工艺参数,改善了Si片表面平整度.
適宜的拋光工藝參數對Si片錶麵平整度TTV、TIR、STIR等參數起到至關重要的作用.介紹瞭化學機械拋光(CMP)有效實現Si片全跼和跼部平坦化的方法和設施,指齣併說明CMP是一種化學作用和機械作用相結閤的技術,給齣瞭其影響因素.利用DOE(design of experiment)實驗方法,結閤實際生產條件,穫得併驗證瞭最優化的生產工藝參數,改善瞭Si片錶麵平整度.
괄의적포광공예삼수대Si편표면평정도TTV、TIR、STIR등삼수기도지관중요적작용.개소료화학궤계포광(CMP)유효실현Si편전국화국부평탄화적방법화설시,지출병설명CMP시일충화학작용화궤계작용상결합적기술,급출료기영향인소.이용DOE(design of experiment)실험방법,결합실제생산조건,획득병험증료최우화적생산공예삼수,개선료Si편표면평정도.
