微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
7期
397-400
,共4页
林琳%陈宏泰%安志民%车相辉%王晶
林琳%陳宏泰%安誌民%車相輝%王晶
림림%진굉태%안지민%차상휘%왕정
三叠层%隧道结%半导体激光器%扩展波导%金属有机化合物气相淀积%结构优化%δ掺杂
三疊層%隧道結%半導體激光器%擴展波導%金屬有機化閤物氣相澱積%結構優化%δ摻雜
삼첩층%수도결%반도체격광기%확전파도%금속유궤화합물기상정적%결구우화%δ참잡
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900 nm的三叠层隧道级联激光器.针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化.通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1 V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°.将900 nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20 A的脉冲工作电流下,输出功率达到55 W,斜率效率达到2.9 W/A,以上指标是普通激光器的3倍.
採用金屬有機化閤物氣相澱積方法生長瞭900 nm的三疊層隧道級聯激光器.針對隧道級聯激光器存在工作電壓高、材料各層的光場耦閤等問題,分彆採用δ摻雜、擴展波導等技術對激光器結構進行瞭優化,併通過模擬計算對隧道結耗儘區寬度進行瞭優化.通過優化隧道結δ摻雜的生長條件,得到n+GaAs的摻雜濃度大于1×1019/cm3,使工作電壓下降1 V;通過採用擴展波導,使垂直髮散角由常規結構的35°減小到20°.將900 nm的三疊層隧道級聯激光器製作成條寬300μm、腔長800μm的條形激光器,採用同軸封裝形式,在20 A的脈遲工作電流下,輸齣功率達到55 W,斜率效率達到2.9 W/A,以上指標是普通激光器的3倍.
채용금속유궤화합물기상정적방법생장료900 nm적삼첩층수도급련격광기.침대수도급련격광기존재공작전압고、재료각층적광장우합등문제,분별채용δ참잡、확전파도등기술대격광기결구진행료우화,병통과모의계산대수도결모진구관도진행료우화.통과우화수도결δ참잡적생장조건,득도n+GaAs적참잡농도대우1×1019/cm3,사공작전압하강1 V;통과채용확전파도,사수직발산각유상규결구적35°감소도20°.장900 nm적삼첩층수도급련격광기제작성조관300μm、강장800μm적조형격광기,채용동축봉장형식,재20 A적맥충공작전류하,수출공솔체도55 W,사솔효솔체도2.9 W/A,이상지표시보통격광기적3배.
