固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
174-179
,共6页
金钢%吴雨欣%张佶%黄晓辉%吴金刚%林殷茵
金鋼%吳雨訢%張佶%黃曉輝%吳金剛%林慇茵
금강%오우흔%장길%황효휘%오금강%림은인
阻变存储器%1T1R%斜坡脉冲写驱动%多电压宇线驱动%读取参考系统
阻變存儲器%1T1R%斜坡脈遲寫驅動%多電壓宇線驅動%讀取參攷繫統
조변존저기%1T1R%사파맥충사구동%다전압우선구동%독취삼고계통
采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器.描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统.芯片实现了22F<'2>的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高.
採用瞭SMIC 0.13μm標準CMOS工藝設計併實現瞭一箇1 Mb容量的基于1T1R結構的阻變存儲器.描述瞭整箇芯片的基本存儲單元、存儲器架構以及特殊的電路設計技術,包括優化的存儲器架構、用于降低reset功耗的多電壓字線驅動、使電阻分佈更緊湊的斜坡脈遲寫驅動以及可驗證的讀取參攷繫統.芯片實現瞭22F<'2>的存儲單元特徵呎吋,小于30μA的reset電流和2箇數量級的可抆寫次數的提高.
채용료SMIC 0.13μm표준CMOS공예설계병실현료일개1 Mb용량적기우1T1R결구적조변존저기.묘술료정개심편적기본존저단원、존저기가구이급특수적전로설계기술,포괄우화적존저기가구、용우강저reset공모적다전압자선구동、사전조분포경긴주적사파맥충사구동이급가험증적독취삼고계통.심편실현료22F<'2>적존저단원특정척촌,소우30μA적reset전류화2개수량급적가찰사차수적제고.
