分析测试学报
分析測試學報
분석측시학보
JOURNAL OF INSTRUMENTAL ANALYSIS
2002年
4期
30-33
,共4页
程发良%宁满霞%莫金垣%戴晓云
程髮良%寧滿霞%莫金垣%戴曉雲
정발량%저만하%막금원%대효운
聚吡咯%光谱电化学%循环伏安法%化学修饰电极
聚吡咯%光譜電化學%循環伏安法%化學脩飾電極
취필각%광보전화학%순배복안법%화학수식전겁
研究了扫描电位上限对循环伏安法制备聚吡咯膜性能的影响,吡咯在水溶液中于玻碳电极表面电化学聚合的起始电位为0.58V,在聚吡咯(Ppy)修饰电极表面聚合的起始电位为0.55V,当聚合电位上限在0.80V以上时,Ppy的氧化还原反应可逆性变差,同时,氧化电位过高将导致Ppy膜导电性能下降;研究了聚合介质对循环伏安法制备导电聚吡咯膜的影响,实时观察了吡咯(Py)聚合过程溶液中质子含量的动态变化,发现Py聚合伴随有质子的掺杂释放过程;结合Ppy膜的元素分析、ESR分析和IR光谱分析,总结出了水介质中电化学聚合高导电性聚吡咯膜的条件.
研究瞭掃描電位上限對循環伏安法製備聚吡咯膜性能的影響,吡咯在水溶液中于玻碳電極錶麵電化學聚閤的起始電位為0.58V,在聚吡咯(Ppy)脩飾電極錶麵聚閤的起始電位為0.55V,噹聚閤電位上限在0.80V以上時,Ppy的氧化還原反應可逆性變差,同時,氧化電位過高將導緻Ppy膜導電性能下降;研究瞭聚閤介質對循環伏安法製備導電聚吡咯膜的影響,實時觀察瞭吡咯(Py)聚閤過程溶液中質子含量的動態變化,髮現Py聚閤伴隨有質子的摻雜釋放過程;結閤Ppy膜的元素分析、ESR分析和IR光譜分析,總結齣瞭水介質中電化學聚閤高導電性聚吡咯膜的條件.
연구료소묘전위상한대순배복안법제비취필각막성능적영향,필각재수용액중우파탄전겁표면전화학취합적기시전위위0.58V,재취필각(Ppy)수식전겁표면취합적기시전위위0.55V,당취합전위상한재0.80V이상시,Ppy적양화환원반응가역성변차,동시,양화전위과고장도치Ppy막도전성능하강;연구료취합개질대순배복안법제비도전취필각막적영향,실시관찰료필각(Py)취합과정용액중질자함량적동태변화,발현Py취합반수유질자적참잡석방과정;결합Ppy막적원소분석、ESR분석화IR광보분석,총결출료수개질중전화학취합고도전성취필각막적조건.
