纳米硅/二氧化硅发光膜的窄发光带
납미규/이양화규발광막적착발광대
Narrow photoluminescent band for nanometer silicon/SiO2 film
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    1999年 5期 315-317 ,共3页

    季振国%袁骏%许倩斐%徐明生%汪雷%李先杭%马向阳%阙端麟

    계진국%원준%허천비%서명생%왕뢰%리선항%마향양%궐단린

    硅氧化合物%纳米硅点%光致发光 硅氧化閤物%納米硅點%光緻髮光
    규양화합물%납미규점%광치발광
    用电化学方法制备了含有纳米硅点的光致发光二氧化硅膜,发现其激发谱分别在246 nm及506 nm附近有极大值.当激发波长在506 nm附近时,观测到一个强度很弱但发射谱线宽度只有约0.05 eV的发光带,远小于250 nm激发时的发射光谱的宽度(约0.50 eV).此窄发光带的发光波长及峰型随激发波长的变化而变化,分析表明它起源于硅氧化合物中的纳米硅点,而短波长(250 nm)光波激发时的宽发射谱主要来自于二氧化硅中的杂质与缺陷.
    용전화학방법제비료함유납미규점적광치발광이양화규막,발현기격발보분별재246 nm급506 nm부근유겁대치.당격발파장재506 nm부근시,관측도일개강도흔약단발사보선관도지유약0.05 eV적발광대,원소우250 nm격발시적발사광보적관도(약0.50 eV).차착발광대적발광파장급봉형수격발파장적변화이변화,분석표명타기원우규양화합물중적납미규점,이단파장(250 nm)광파격발시적관발사보주요래자우이양화규중적잡질여결함.
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