物理学报
物理學報
물이학보
2006年
8期
4238-4246
,共9页
立方氮化硼薄膜%等离子体%质谱
立方氮化硼薄膜%等離子體%質譜
립방담화붕박막%등리자체%질보
利用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法以Ar,He,N2和B2H6为反应气体制备了高纯立方氮化硼薄膜.用四极质谱仪对等离子体状况进行了系统的分析,发现B2H6完全被电离而N2只是部分被电离.H2和过量的N2在等离子体中生成大量中性的H原子和活化的N*2,它们与表面的相互作用严重地阻碍了立方氮化硼的成核与生长.同时,H2等离子体和Ar等离子体并不能对sp2杂化氮化硼进行有效的选择性化学刻蚀和溅射.对在超薄硅片边上生长的立方氮化硼薄膜用高分辨电子显微镜进行直接观察,发现最优化条件下生长的立方氮化硼薄膜表面是纯立方相{111}晶面结构,不存在sp2杂化氮化硼表面薄层.研究结果表明,在等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中,立方氮化硼是在表面上成核并生长的.
利用感應耦閤等離子體增彊化學氣相沉積法以Ar,He,N2和B2H6為反應氣體製備瞭高純立方氮化硼薄膜.用四極質譜儀對等離子體狀況進行瞭繫統的分析,髮現B2H6完全被電離而N2隻是部分被電離.H2和過量的N2在等離子體中生成大量中性的H原子和活化的N*2,它們與錶麵的相互作用嚴重地阻礙瞭立方氮化硼的成覈與生長.同時,H2等離子體和Ar等離子體併不能對sp2雜化氮化硼進行有效的選擇性化學刻蝕和濺射.對在超薄硅片邊上生長的立方氮化硼薄膜用高分辨電子顯微鏡進行直接觀察,髮現最優化條件下生長的立方氮化硼薄膜錶麵是純立方相{111}晶麵結構,不存在sp2雜化氮化硼錶麵薄層.研究結果錶明,在等離子體增彊化學氣相沉積法製備立方氮化硼薄膜過程中,立方氮化硼是在錶麵上成覈併生長的.
이용감응우합등리자체증강화학기상침적법이Ar,He,N2화B2H6위반응기체제비료고순립방담화붕박막.용사겁질보의대등리자체상황진행료계통적분석,발현B2H6완전피전리이N2지시부분피전리.H2화과량적N2재등리자체중생성대량중성적H원자화활화적N*2,타문여표면적상호작용엄중지조애료립방담화붕적성핵여생장.동시,H2등리자체화Ar등리자체병불능대sp2잡화담화붕진행유효적선택성화학각식화천사.대재초박규편변상생장적립방담화붕박막용고분변전자현미경진행직접관찰,발현최우화조건하생장적립방담화붕박막표면시순립방상{111}정면결구,불존재sp2잡화담화붕표면박층.연구결과표명,재등리자체증강화학기상침적법제비립방담화붕박막과정중,립방담화붕시재표면상성핵병생장적.
