固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
2期
170-175
,共6页
郜锦侠%张义门%张玉明%夏杰
郜錦俠%張義門%張玉明%夏傑
고금협%장의문%장옥명%하걸
碳化硅%隐埋沟道%金属氧化物半导体场效应晶体管%平均迁移率模型%伏安特性
碳化硅%隱埋溝道%金屬氧化物半導體場效應晶體管%平均遷移率模型%伏安特性
탄화규%은매구도%금속양화물반도체장효응정체관%평균천이솔모형%복안특성
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件,I-V特性进行了研究.采用一个随栅压变化的平均电容公式,并用一个简单的解析表达式来描述沟道平均迁移率随栅压的变化关系.计算漏电流时考虑了埋沟器件的三种工作模式,推出了各种工作模式下的漏电流表达式,并用实验值对模型进行了验证.
提齣瞭一種SiC隱埋溝道MOSFET平均遷移率模型,併在此基礎上對器件,I-V特性進行瞭研究.採用一箇隨柵壓變化的平均電容公式,併用一箇簡單的解析錶達式來描述溝道平均遷移率隨柵壓的變化關繫.計算漏電流時攷慮瞭埋溝器件的三種工作模式,推齣瞭各種工作模式下的漏電流錶達式,併用實驗值對模型進行瞭驗證.
제출료일충SiC은매구도MOSFET평균천이솔모형,병재차기출상대기건,I-V특성진행료연구.채용일개수책압변화적평균전용공식,병용일개간단적해석표체식래묘술구도평균천이솔수책압적변화관계.계산루전류시고필료매구기건적삼충공작모식,추출료각충공작모식하적루전류표체식,병용실험치대모형진행료험증.
