电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
12期
42-44
,共3页
董晓辉%吴传贵%罗文博%彭强祥%唐志军
董曉輝%吳傳貴%囉文博%彭彊祥%唐誌軍
동효휘%오전귀%라문박%팽강상%당지군
红外辐射源%微机电系统%调制深度
紅外輻射源%微機電繫統%調製深度
홍외복사원%미궤전계통%조제심도
利用微机电系统( MEMS)制造工艺制备出了一种硅基红外辐射源.该辐射源采用单晶硅为衬底,通过直流溅射沉积Pt/Ti薄膜,并利用深反应离子刻蚀与湿法腐蚀工艺制备隔离槽和释放支撑层.研究了支撑层厚度对红外辐射源辐射特性的影响.结果表明,随着支撑层厚度的减小,红外辐射源的调制驱动电压会降低.当支撑层厚度为1μm时,辐射源调制频率在50％的调制深度下达13 Hz,其频响特性已基本满足红外传感器系统的应用要求.
利用微機電繫統( MEMS)製造工藝製備齣瞭一種硅基紅外輻射源.該輻射源採用單晶硅為襯底,通過直流濺射沉積Pt/Ti薄膜,併利用深反應離子刻蝕與濕法腐蝕工藝製備隔離槽和釋放支撐層.研究瞭支撐層厚度對紅外輻射源輻射特性的影響.結果錶明,隨著支撐層厚度的減小,紅外輻射源的調製驅動電壓會降低.噹支撐層厚度為1μm時,輻射源調製頻率在50％的調製深度下達13 Hz,其頻響特性已基本滿足紅外傳感器繫統的應用要求.
이용미궤전계통( MEMS)제조공예제비출료일충규기홍외복사원.해복사원채용단정규위츤저,통과직류천사침적Pt/Ti박막,병이용심반응리자각식여습법부식공예제비격리조화석방지탱층.연구료지탱층후도대홍외복사원복사특성적영향.결과표명,수착지탱층후도적감소,홍외복사원적조제구동전압회강저.당지탱층후도위1μm시,복사원조제빈솔재50％적조제심도하체13 Hz,기빈향특성이기본만족홍외전감기계통적응용요구.
