发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
6期
611-615
,共5页
张浩%王立%容佳玲%曹进%张志林%蒋雪茵%张建华
張浩%王立%容佳玲%曹進%張誌林%蔣雪茵%張建華
장호%왕립%용가령%조진%장지림%장설인%장건화
有机电致发光%Cs2CO3%倒置顶发射%电子注入
有機電緻髮光%Cs2CO3%倒置頂髮射%電子註入
유궤전치발광%Cs2CO3%도치정발사%전자주입
以Cs2CO3修饰的Al电极作为反射阴极制备了高效倒置顶发射结构有机电致发器件(ITOLED).以八羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层、MoO3修饰的Ag为半透明阳极时,器件的开启电压为3.6V,发光效率和功率效率分别达到9.8 cd/A和3.4 lm/W.研究结果表明,Al/Cs2CO3为反射阴极的器件性能明显高于使用 Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作为反射阴极的倒置顶发射OLED器件.单电子器件研究结果证明,以Cs2CO3修饰的Al电极功函数明显低于Mg:Ag和Al电极,具有更好的电子注入效果.因此,除去微腔效应外,Al/Cs2CO3为反射电极的ITOLED器件性能的提高主要归因于Al/Cs2CO3阴极的有效电子注入.
以Cs2CO3脩飾的Al電極作為反射陰極製備瞭高效倒置頂髮射結構有機電緻髮器件(ITOLED).以八羥基喹啉鋁(Alq3)作為髮光層、MoO3脩飾的Ag為半透明暘極時,器件的開啟電壓為3.6V,髮光效率和功率效率分彆達到9.8 cd/A和3.4 lm/W.研究結果錶明,Al/Cs2CO3為反射陰極的器件性能明顯高于使用 Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)和Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)作為反射陰極的倒置頂髮射OLED器件.單電子器件研究結果證明,以Cs2CO3脩飾的Al電極功函數明顯低于Mg:Ag和Al電極,具有更好的電子註入效果.因此,除去微腔效應外,Al/Cs2CO3為反射電極的ITOLED器件性能的提高主要歸因于Al/Cs2CO3陰極的有效電子註入.
이Cs2CO3수식적Al전겁작위반사음겁제비료고효도치정발사결구유궤전치발기건(ITOLED).이팔간기규람려(Alq3)작위발광층、MoO3수식적Ag위반투명양겁시,기건적개계전압위3.6V,발광효솔화공솔효솔분별체도9.8 cd/A화3.4 lm/W.연구결과표명,Al/Cs2CO3위반사음겁적기건성능명현고우사용 Mg:Ag(4.2 V,8.6 cd/A,2.85 lm/W)화Al(5 V,5.5 cd/A,1.57 lm/W)작위반사음겁적도치정발사OLED기건.단전자기건연구결과증명,이Cs2CO3수식적Al전겁공함수명현저우Mg:Ag화Al전겁,구유경호적전자주입효과.인차,제거미강효응외,Al/Cs2CO3위반사전겁적ITOLED기건성능적제고주요귀인우Al/Cs2CO3음겁적유효전자주입.
