微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
692-696
,共5页
RS-485%电平移位%迟滞%γ射线辐射%中子辐射
RS-485%電平移位%遲滯%γ射線輻射%中子輻射
RS-485%전평이위%지체%γ사선복사%중자복사
采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种能够在γ射线辐射和中子辐射环境下正常工作的RS-485总线接收器.内部结构包含输入电平移位电路、输入缓冲器、输入滤波器、迟滞比较器四部分.流片测试及辐照试验结果均表明,设计的接收器在满足RS-485总线标准的同时,具备抗γ射线辐射250 Gy(Si)、抗中子注量2.5×1013 n/cm2的性能,适用于低剂量核辐射环境.
採用0.5 μm CMOS工藝,設計瞭一種能夠在γ射線輻射和中子輻射環境下正常工作的RS-485總線接收器.內部結構包含輸入電平移位電路、輸入緩遲器、輸入濾波器、遲滯比較器四部分.流片測試及輻照試驗結果均錶明,設計的接收器在滿足RS-485總線標準的同時,具備抗γ射線輻射250 Gy(Si)、抗中子註量2.5×1013 n/cm2的性能,適用于低劑量覈輻射環境.
채용0.5 μm CMOS공예,설계료일충능구재γ사선복사화중자복사배경하정상공작적RS-485총선접수기.내부결구포함수입전평이위전로、수입완충기、수입려파기、지체비교기사부분.류편측시급복조시험결과균표명,설계적접수기재만족RS-485총선표준적동시,구비항γ사선복사250 Gy(Si)、항중자주량2.5×1013 n/cm2적성능,괄용우저제량핵복사배경.
