并四苯晶体的物理气相沉积
병사분정체적물리기상침적
Physical Vapor Deposition of Tetracene Crystals
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2001年 6期 437-439,442 ,共4页

    刘建军%李永军%刘明大%石家纬%葛翔%纪平%郭树旭%金恩顺

    류건군%리영군%류명대%석가위%갈상%기평%곽수욱%금은순

    并四苯%有机晶体%物理气相沉积 併四苯%有機晶體%物理氣相沉積
    병사분%유궤정체%물리기상침적
    设计了水平沉积系统,物理气相生长了并四苯晶体.仅用10～30mg的源,得到了面积达20mm2 的片状晶体.报道了可重复性的晶体生长条件.测试表明,晶体表面光滑,结构非常有序.
    설계료수평침적계통,물리기상생장료병사분정체.부용10～30mg적원,득도료면적체20mm2 적편상정체.보도료가중복성적정체생장조건.측시표명,정체표면광활,결구비상유서.
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