太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2003年
z1期
82-85
,共4页
涂洁磊%陈庭金%章晨静%吴长树%施兆顺
塗潔磊%陳庭金%章晨靜%吳長樹%施兆順
도길뢰%진정금%장신정%오장수%시조순
GaAs/导电玻璃%热壁外延%太阳电池%薄膜材料
GaAs/導電玻璃%熱壁外延%太暘電池%薄膜材料
GaAs/도전파리%열벽외연%태양전지%박막재료
该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.
該文報道以導電玻璃為襯底,採用熱壁外延方法,製備GaAs多晶薄膜材料.採用電子探針(EPMA)測定薄膜的組分、錶麵與剖麵形貌,x射線衍射(XRD)分析生長薄膜的結構,Raman散射(RSS)、光緻髮光光譜(PL)分析其光學性能.結果錶明該薄膜性能良好、錶麵呈絨麵結構、適閤製作GaAs薄膜太暘電池.併全麵分析瞭現有製備工藝條件對GaAs薄膜性能的影響,得齣最佳的生長溫度條件:源溫為900～930℃,襯底溫度為500℃.
해문보도이도전파리위츤저,채용열벽외연방법,제비GaAs다정박막재료.채용전자탐침(EPMA)측정박막적조분、표면여부면형모,x사선연사(XRD)분석생장박막적결구,Raman산사(RSS)、광치발광광보(PL)분석기광학성능.결과표명해박막성능량호、표면정융면결구、괄합제작GaAs박막태양전지.병전면분석료현유제비공예조건대GaAs박막성능적영향,득출최가적생장온도조건:원온위900～930℃,츤저온도위500℃.
