半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
2期
1-3
,共3页
直拉法%大直径单晶%真空稳定性%气流控制
直拉法%大直徑單晶%真空穩定性%氣流控製
직랍법%대직경단정%진공은정성%기류공제
随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现.大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求.本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质.
隨著國內大直徑直拉單晶技術的髮展,一些原先在小直徑單晶中併未引起重視的問題,對大直徑單晶生長的負麵影響日漸顯現.大直徑單晶對其生長環境有很高的穩定性要求.本文就其中真空度的穩定和氣流控製的優化兩箇方麵,提齣瞭改進方案,以提高大直徑單晶生長的成晶率和內在品質.
수착국내대직경직랍단정기술적발전,일사원선재소직경단정중병미인기중시적문제,대대직경단정생장적부면영향일점현현.대직경단정대기생장배경유흔고적은정성요구.본문취기중진공도적은정화기류공제적우화량개방면,제출료개진방안,이제고대직경단정생장적성정솔화내재품질.