高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2005年
5期
58-61
,共4页
莫春兰%方文卿%刘和初%周毛兴%江风益
莫春蘭%方文卿%劉和初%週毛興%江風益
막춘란%방문경%류화초%주모흥%강풍익
Si衬底%MOCVD%GaN%LED%多量子阱
Si襯底%MOCVD%GaN%LED%多量子阱
Si츤저%MOCVD%GaN%LED%다양자정
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.
利用低壓金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)繫統在Si(111)襯底上生長瞭InGaN 多量子阱LED外延片.為剋服GaN與Si襯底之間巨大的晶格失配與熱失配,引入瞭AlN低溫緩遲層及富鎵的GaN高溫緩遲層,在Si(111)襯底上穫得瞭無龜裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在兩英吋外延片內LED管芯的工作電壓在3.7～4.1V之間,電緻髮光波長在465～480nm之間,87%的LED管芯的反嚮漏電流不大于0.1μA,輸齣光彊為18～30mcd.
이용저압금속유궤화학기상침적(MOCVD)계통재Si(111)츤저상생장료InGaN 다양자정LED외연편.위극복GaN여Si츤저지간거대적정격실배여열실배,인입료AlN저온완충층급부가적GaN고온완충층,재Si(111)츤저상획득료무구렬적InGaN 다양자정LED외연재료.재량영촌외연편내LED관심적공작전압재3.7～4.1V지간,전치발광파장재465～480nm지간,87%적LED관심적반향루전류불대우0.1μA,수출광강위18～30mcd.
