表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响
표면이차양겁양화대HgCdTe광도기건성능적영향
Influence of Second Anodization on Characteristics of HgCdTe Photoconductive Detectors
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2007年 1期 72-75 ,共4页

    汤英文%朱龙源%游达%许金通%刘诗嘉%庄春泉%李向阳%龚海梅

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    HgCdTe%阳极氧化%微波光电导衰退法%俄歇电子能谱%光导型探测器 HgCdTe%暘極氧化%微波光電導衰退法%俄歇電子能譜%光導型探測器
    HgCdTe%양겁양화%미파광전도쇠퇴법%아헐전자능보%광도형탐측기
    采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命.利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化.结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D·优于常规方法制作的器件.
    채용미파광전도쇠퇴법(μ-PCD)측시료이차양겁양화막화전통양화막둔화적중파n형HgCdTe심편적소자수명.이용아헐전자능보(AES)연구료전통방법여신방법생성적양화막적조분변화.결과표명이차양겁양화능현저제고소수재류자수명,채용차공예제작적광도기건적신호、향응솔、D·우우상규방법제작적기건.
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