退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响
퇴화대고Al조분AlGaN P-I-N이겁관광전성능적영향
The Infiuence of Annealing Process on the Performance of AlGaN P-I-N Photodiodes with High Al Fraction
  • 万方数据
    激光与红外 격광여홍외
    LASER & INFRARED
    2007年 12期 1283-1286 ,共4页

    赵鸿燕%司俊杰%鲁正雄%成彩晶%丁嘉欣%张亮%陈慧娟

    조홍연%사준걸%로정웅%성채정%정가흔%장량%진혜연

    AlGaN P-I-N二极管%退火%欧姆接触%工艺损伤 AlGaN P-I-N二極管%退火%歐姆接觸%工藝損傷
    AlGaN P-I-N이겁관%퇴화%구모접촉%공예손상
    研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响.研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaN P-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1 A/cm2降为5.7×10-5 A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性.分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关.
    연구료불동조건하적퇴화대고Al조분AlGaN P-I-N이겁관성능적영향.연구결과표명,합괄적퇴화조건기능사AlGaN여전겁지간형성량호적구모접촉,동시우능현저강저AlGaN P-I-N이겁관적반향루전류,반편압5V시,암전류밀도유2.0×10-1 A/cm2강위5.7×10-5 A/cm2,천조유18.01kΩ감소도1.071kΩ,종이우화료AlGaN P-I-N이겁관적I-V특성.분석인위저여퇴화개선접촉전겁특성,동시소제기건제비공예중인입적손상、강저결함태밀도유관.
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