中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
2期
148-151
,共4页
GaAs%低噪声放大器%"T"形栅%电路仿真%单片微波集成电路
GaAs%低譟聲放大器%"T"形柵%電路倣真%單片微波集成電路
GaAs%저조성방대기%"T"형책%전로방진%단편미파집성전로
介绍了24～38 GHz低噪声放大器MMIC的研制.分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 inGaAs工艺线进行工艺制作.采用电子束制作0.20 μm"T"形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的,I<,dss>和V<,p>,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3.8 dB,小信号增益大于13 dB,增益平坦度小于±0.6 dB,输入和输出驻波比小于2:1,微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当.
介紹瞭24～38 GHz低譟聲放大器MMIC的研製.分析瞭微波晶體管放大器的譟聲特性,針對譟聲繫數和增益,利用軟件進行電路倣真優化和電磁場分析,設計製作電路版圖,在標準3 inGaAs工藝線進行工藝製作.採用電子束製作0.20 μm"T"形柵,利用選擇腐蝕的方法準確控製有源器件的,I<,dss>和V<,p>,微波測試結果為在頻帶內的譟聲繫數小于3.8 dB,小信號增益大于13 dB,增益平坦度小于±0.6 dB,輸入和輸齣駐波比小于2:1,微波性能與NORTHROP GRUMMAN公司的同類產品ALH140C的水平相噹.
개소료24～38 GHz저조성방대기MMIC적연제.분석료미파정체관방대기적조성특성,침대조성계수화증익,이용연건진행전로방진우화화전자장분석,설계제작전로판도,재표준3 inGaAs공예선진행공예제작.채용전자속제작0.20 μm"T"형책,이용선택부식적방법준학공제유원기건적,I<,dss>화V<,p>,미파측시결과위재빈대내적조성계수소우3.8 dB,소신호증익대우13 dB,증익평탄도소우±0.6 dB,수입화수출주파비소우2:1,미파성능여NORTHROP GRUMMAN공사적동류산품ALH140C적수평상당.
