武汉科技大学学报（自然科学版）
武漢科技大學學報（自然科學版）
무한과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2012年
1期
56-60
,共5页
朱胜君%王俊%李念%李涛涛%吴隽%祝柏林
硃勝君%王俊%李唸%李濤濤%吳雋%祝柏林
주성군%왕준%리념%리도도%오준%축백림
H2/(Ar+H2)流量比%AZO薄膜%射频磁控溅射法%结晶质量%电阻率%透光率
H2/(Ar+H2)流量比%AZO薄膜%射頻磁控濺射法%結晶質量%電阻率%透光率
H2/(Ar+H2)류량비%AZO박막%사빈자공천사법%결정질량%전조솔%투광솔
在Ar+ H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度；H2/(Ar+ H2)流量比为5％时,AZO薄膜的最小电阻率为1.58×10-3 Ω·cm,最大霍尔迁移率和载流子浓度分别为13.17 cm2·(V· s)-1和3.01×1020 cm-3；AZO薄膜在可见光范围内平均透光率大于85.7％.
在Ar+ H2氣氛下,用RF磁控濺射法在室溫下製備Al摻雜的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比對薄膜結構和光電性能的影響.結果錶明,在沉積氣氛中引入H2可以提高AZO薄膜的結晶質量,降低AZO薄膜的電阻率,提高其霍爾遷移率和載流子濃度；H2/(Ar+ H2)流量比為5％時,AZO薄膜的最小電阻率為1.58×10-3 Ω·cm,最大霍爾遷移率和載流子濃度分彆為13.17 cm2·(V· s)-1和3.01×1020 cm-3；AZO薄膜在可見光範圍內平均透光率大于85.7％.
재Ar+ H2기분하,용RF자공천사법재실온하제비Al참잡적ZnO(AZO)박막,연구H2/(Ar+H2)류량비대박막결구화광전성능적영향.결과표명,재침적기분중인입H2가이제고AZO박막적결정질량,강저AZO박막적전조솔,제고기곽이천이솔화재류자농도；H2/(Ar+ H2)류량비위5％시,AZO박막적최소전조솔위1.58×10-3 Ω·cm,최대곽이천이솔화재류자농도분별위13.17 cm2·(V· s)-1화3.01×1020 cm-3；AZO박막재가견광범위내평균투광솔대우85.7％.
