表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2005年
5期
26-29
,共4页
曾庆圣%何宏辉%霍天成%王天石%何劼%杜建成
曾慶聖%何宏輝%霍天成%王天石%何劼%杜建成
증경골%하굉휘%곽천성%왕천석%하할%두건성
镁合金%微弧氧化%氧化膜%负电压%等离子体
鎂閤金%微弧氧化%氧化膜%負電壓%等離子體
미합금%미호양화%양화막%부전압%등리자체
研究了镁合金AZ31在磷酸盐和硅酸盐两种不同的溶液体系下生成氧化膜的性质,比较了多种因素,特别是负电压对于生成氧化膜的影响;并且通过X射线衍射(XRD)等方式分别确定了两种不同溶液条件下氧化膜的成分.结果表明:较低的负电压有利于氧化膜的生长,延缓二次放电现象的发生.在我们得到的氧化膜中,最主要的成分为高温相的MgO,不同于以往条件下得到的普通相MgO氧化膜,能提高镁合金的一部分性能.
研究瞭鎂閤金AZ31在燐痠鹽和硅痠鹽兩種不同的溶液體繫下生成氧化膜的性質,比較瞭多種因素,特彆是負電壓對于生成氧化膜的影響;併且通過X射線衍射(XRD)等方式分彆確定瞭兩種不同溶液條件下氧化膜的成分.結果錶明:較低的負電壓有利于氧化膜的生長,延緩二次放電現象的髮生.在我們得到的氧化膜中,最主要的成分為高溫相的MgO,不同于以往條件下得到的普通相MgO氧化膜,能提高鎂閤金的一部分性能.
연구료미합금AZ31재린산염화규산염량충불동적용액체계하생성양화막적성질,비교료다충인소,특별시부전압대우생성양화막적영향;병차통과X사선연사(XRD)등방식분별학정료량충불동용액조건하양화막적성분.결과표명:교저적부전압유리우양화막적생장,연완이차방전현상적발생.재아문득도적양화막중,최주요적성분위고온상적MgO,불동우이왕조건하득도적보통상MgO양화막,능제고미합금적일부분성능.
