微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
634-637
,共4页
杨红官%李晓阳%喻彪%戴大康
楊紅官%李曉暘%喻彪%戴大康
양홍관%리효양%유표%대대강
器件物理%纳米级MOS器件%直接隧穿电流%顺序隧穿
器件物理%納米級MOS器件%直接隧穿電流%順序隧穿
기건물리%납미급MOS기건%직접수천전류%순서수천
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型.通过和实验数据的比较,证明了该模型的有效性.计算结果表明,在纳米级MOS器件中,采用SiO2作栅介质时,1.5 nm厚度是按比例缩小的极限.该计算模型还可以用于高介电常数栅介质和多层栅介质MOS器件的直接隧穿电流的计算.
文章從分析量子力學效應對納米級MOS器件的影響齣髮,採用順序隧穿理論和巴丁傳輸哈密頓方法,建立瞭納米級MOS器件直接隧穿柵電流的計算模型.通過和實驗數據的比較,證明瞭該模型的有效性.計算結果錶明,在納米級MOS器件中,採用SiO2作柵介質時,1.5 nm厚度是按比例縮小的極限.該計算模型還可以用于高介電常數柵介質和多層柵介質MOS器件的直接隧穿電流的計算.
문장종분석양자역학효응대납미급MOS기건적영향출발,채용순서수천이론화파정전수합밀돈방법,건립료납미급MOS기건직접수천책전류적계산모형.통과화실험수거적비교,증명료해모형적유효성.계산결과표명,재납미급MOS기건중,채용SiO2작책개질시,1.5 nm후도시안비례축소적겁한.해계산모형환가이용우고개전상수책개질화다층책개질MOS기건적직접수천전류적계산.
