发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
6期
958-962
,共5页
边继明%杜国同%胡礼中%李效民%赵俊亮
邊繼明%杜國同%鬍禮中%李效民%趙俊亮
변계명%두국동%호례중%리효민%조준량
ZnO薄膜%脉冲激光沉积%光致发光
ZnO薄膜%脈遲激光沉積%光緻髮光
ZnO박막%맥충격광침적%광치발광
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.优化工艺(700 ℃,20 Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善.O2分压为20 Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.
採用脈遲激光沉積(PLD)法在單晶Si(100)襯底上生長ZnO薄膜,以X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和透射電鏡(TEM)等手段分析瞭所得ZnO薄膜的晶體結構和微觀形貌.優化工藝(700 ℃,20 Pa)下生長的ZnO薄膜呈c軸高度擇優取嚮,柱狀晶垂直襯底錶麵生長,結構緻密均勻.室溫光緻髮光(PL)譜分析結果錶明,隨著薄膜生長時O2分壓的增大,近帶邊紫外髮光峰與深能級髮光峰之比顯著增彊,錶明薄膜的結晶性能和化學計量比都有瞭很大的改善.O2分壓為20 Pa時所生長的ZnO薄膜具有較理想的化學計量比和較高的光學質量.
채용맥충격광침적(PLD)법재단정Si(100)츤저상생장ZnO박막,이X사선연사(XRD)、원자력현미경(AFM)화투사전경(TEM)등수단분석료소득ZnO박막적정체결구화미관형모.우화공예(700 ℃,20 Pa)하생장적ZnO박막정c축고도택우취향,주상정수직츤저표면생장,결구치밀균균.실온광치발광(PL)보분석결과표명,수착박막생장시O2분압적증대,근대변자외발광봉여심능급발광봉지비현저증강,표명박막적결정성능화화학계량비도유료흔대적개선.O2분압위20 Pa시소생장적ZnO박막구유교이상적화학계량비화교고적광학질량.
