中国科学技术大学学报
中國科學技術大學學報
중국과학기술대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2007年
4期
549-553
,共5页
潘志云%王科范%刘金锋%徐彭寿%孙治湖%闫文盛%韦世强
潘誌雲%王科範%劉金鋒%徐彭壽%孫治湖%閆文盛%韋世彊
반지운%왕과범%류금봉%서팽수%손치호%염문성%위세강
XAFS%Ge量子点%局域结构%热扩散
XAFS%Ge量子點%跼域結構%熱擴散
XAFS%Ge양자점%국역결구%열확산
利用荧光X射线吸收精细结构(X-ray absorption fine structure,XAFS)方法研究了分子束外延生长的自组装Ge/Si(001)量子点的扩散效应.原子力显微镜结果表明,在550℃的生长温度下形成了面密度为5.2×1011 cm-2的高密度小尺寸量子点.XAFS结果表明,生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火,对Ge/Si之间的热扩散混合的影响较小.随着退火温度升高到800 ℃,Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4.0×10-5 nm2降低到2.9×10-5 nm2,配位数由3.3升高到3.8,这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子,高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散.
利用熒光X射線吸收精細結構(X-ray absorption fine structure,XAFS)方法研究瞭分子束外延生長的自組裝Ge/Si(001)量子點的擴散效應.原子力顯微鏡結果錶明,在550℃的生長溫度下形成瞭麵密度為5.2×1011 cm-2的高密度小呎吋量子點.XAFS結果錶明,生長的Ge量子點樣品覆蓋Si層後在550℃溫度退火,對Ge/Si之間的熱擴散混閤的影響較小.隨著退火溫度升高到800 ℃,Ge原子的第一近鄰配位殼層中的Ge-Si配位的無序度由4.0×10-5 nm2降低到2.9×10-5 nm2,配位數由3.3升高到3.8,這錶明Ge量子點樣品中的Ge原子的近鄰主要為Si配位原子,高溫退火顯著增加瞭Ge原子在Si層中的擴散.
이용형광X사선흡수정세결구(X-ray absorption fine structure,XAFS)방법연구료분자속외연생장적자조장Ge/Si(001)양자점적확산효응.원자력현미경결과표명,재550℃적생장온도하형성료면밀도위5.2×1011 cm-2적고밀도소척촌양자점.XAFS결과표명,생장적Ge양자점양품복개Si층후재550℃온도퇴화,대Ge/Si지간적열확산혼합적영향교소.수착퇴화온도승고도800 ℃,Ge원자적제일근린배위각층중적Ge-Si배위적무서도유4.0×10-5 nm2강저도2.9×10-5 nm2,배위수유3.3승고도3.8,저표명Ge양자점양품중적Ge원자적근린주요위Si배위원자,고온퇴화현저증가료Ge원자재Si층중적확산.
