材料科学与工程学报
材料科學與工程學報
재료과학여공정학보
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2008年
2期
226-228,216
,共4页
PECVD%na-Si:H%掺杂比%激活能
PECVD%na-Si:H%摻雜比%激活能
PECVD%na-Si:H%참잡비%격활능
本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.
本文採用PECVD法製備硼摻雜納米非晶硅薄膜(na-Si:H),繫統研究瞭摻雜氣體比(B2H6/SiH4)、襯底溫度Ts、RF電源功率對薄膜電學性能的影響.研究錶明,與傳統摻硼非品硅不同,隨硼摻雜濃度的增加,摻硼na-Si:H薄膜的電導率先減小後增大併最終趨于飽和,其電導激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有應用于太暘能電池p型層的潛力.
본문채용PECVD법제비붕참잡납미비정규박막(na-Si:H),계통연구료참잡기체비(B2H6/SiH4)、츤저온도Ts、RF전원공솔대박막전학성능적영향.연구표명,여전통참붕비품규불동,수붕참잡농도적증가,참붕na-Si:H박막적전도솔선감소후증대병최종추우포화,기전도격활능E≈0.50eV、σph/σd＞102,구유응용우태양능전지p형층적잠력.
