P+多晶Si1-xGex功函数对异质结CMOS器件电学特性影响的模拟研究
P+다정Si1-xGex공함수대이질결CMOS기건전학특성영향적모의연구
Simulation Study of Effect of Work Function of p+ Polycrystalline Si1-xGex on Electrical Properties of Heterojuncion CMOS
  • 万方数据
    电子器件 전자기건
    JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
    2008年 3期 795-799 ,共5页

    舒斌%张鹤鸣%王伟%宣荣喜%宋建军%任冬玲%吴铁峰%张永杰

    서빈%장학명%왕위%선영희%송건군%임동령%오철봉%장영걸

    异质结CMOS%p+多晶Si1-xGex栅%MEDICI模拟%功函数 異質結CMOS%p+多晶Si1-xGex柵%MEDICI模擬%功函數
    이질결CMOS%p+다정Si1-xGex책%MEDICI모의%공함수
    为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件直流与交流特性参数的影响,得出在P+多晶Si1-xGex功函数W=0.85 eV,即Ge组分x=0.36时,此类器件的p-MOSFET与n-MOSFET具有匹配的阈值电压,分别为VTp=-0.215 V和VTn=O.205 V.为此类器件的优化设计和制备提供了理论依据.
    위사수직층첩SiGe/Si이질결CMOS기건구유필배적역치전압,이용이유기건모의기MEDICI모의분석료p+다정Si1-xGex책적공함수대차류기건직류여교류특성삼수적영향,득출재P+다정Si1-xGex공함수W=0.85 eV,즉Ge조분x=0.36시,차류기건적p-MOSFET여n-MOSFET구유필배적역치전압,분별위VTp=-0.215 V화VTn=O.205 V.위차류기건적우화설계화제비제공료이론의거.
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