光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2009年
3期
251-255
,共5页
程顺昌%杨治美%钟玉杰%何毅%孙小松%龚敏
程順昌%楊治美%鐘玉傑%何毅%孫小鬆%龔敏
정순창%양치미%종옥걸%하의%손소송%공민
立方碳化硅%拉曼散射光谱%傅里叶变换红外光谱%剩余射线带
立方碳化硅%拉曼散射光譜%傅裏葉變換紅外光譜%剩餘射線帶
립방탄화규%랍만산사광보%부리협변환홍외광보%잉여사선대
采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源气,在n-Si(111)衬底上生长3C-SiC晶体薄膜.H2在反应过程中作为稀释气体和运输气体,CH4作为碳源,硅源有衬底硅来提供.利用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究3C-SiC薄膜的晶相结构、表面形貌及其光谱性质.结果表明此生长方法可以成功的成长出3C-SiC薄膜.
採用LPCVD技術,以CH4和H2混閤氣體為反應源氣,在n-Si(111)襯底上生長3C-SiC晶體薄膜.H2在反應過程中作為稀釋氣體和運輸氣體,CH4作為碳源,硅源有襯底硅來提供.利用X射線衍射分析儀、場髮射掃描電子顯微鏡、激光拉曼光譜和傅裏葉變換紅外光譜分彆研究3C-SiC薄膜的晶相結構、錶麵形貌及其光譜性質.結果錶明此生長方法可以成功的成長齣3C-SiC薄膜.
채용LPCVD기술,이CH4화H2혼합기체위반응원기,재n-Si(111)츤저상생장3C-SiC정체박막.H2재반응과정중작위희석기체화운수기체,CH4작위탄원,규원유츤저규래제공.이용X사선연사분석의、장발사소묘전자현미경、격광랍만광보화부리협변환홍외광보분별연구3C-SiC박막적정상결구、표면형모급기광보성질.결과표명차생장방법가이성공적성장출3C-SiC박막.
