石家庄学院学报
石傢莊學院學報
석가장학원학보
JOURNAL OF SHIJIAZHUANG COLLEGE
2010年
6期
80-85
,共6页
高雪莲%田聪颖%陈银红%陈彦宇
高雪蓮%田聰穎%陳銀紅%陳彥宇
고설련%전총영%진은홍%진언우
电磁抗扰度%电磁兼容特性%微控制器%直接功率注入测量
電磁抗擾度%電磁兼容特性%微控製器%直接功率註入測量
전자항우도%전자겸용특성%미공제기%직접공솔주입측량
提出1种描述微控制器直接功率注入(direct power injection,DPI)测量电磁传导抗扰度特性的模型.该模型在国际已有模型的基础上,在PDN模块中增加了内核网络、PLL,A/D网络等模型,能更精确的反映PDN的物理情况,同时能实现集成电路电磁兼容模型的标准化建模.最后,在不同频率的射频电磁干扰下对微控制器被测I/O端口抗扰度进行仿真分析,并与测量结果对比,结果表明在500 MHz以下,模型预测抗扰度的不确定度在允许范围内.该模型应用于PCB级别,可精确仿真PCB板的电磁兼容情况,仿真精度远高于使用IBIS模型.
提齣1種描述微控製器直接功率註入(direct power injection,DPI)測量電磁傳導抗擾度特性的模型.該模型在國際已有模型的基礎上,在PDN模塊中增加瞭內覈網絡、PLL,A/D網絡等模型,能更精確的反映PDN的物理情況,同時能實現集成電路電磁兼容模型的標準化建模.最後,在不同頻率的射頻電磁榦擾下對微控製器被測I/O耑口抗擾度進行倣真分析,併與測量結果對比,結果錶明在500 MHz以下,模型預測抗擾度的不確定度在允許範圍內.該模型應用于PCB級彆,可精確倣真PCB闆的電磁兼容情況,倣真精度遠高于使用IBIS模型.
제출1충묘술미공제기직접공솔주입(direct power injection,DPI)측량전자전도항우도특성적모형.해모형재국제이유모형적기출상,재PDN모괴중증가료내핵망락、PLL,A/D망락등모형,능경정학적반영PDN적물리정황,동시능실현집성전로전자겸용모형적표준화건모.최후,재불동빈솔적사빈전자간우하대미공제기피측I/O단구항우도진행방진분석,병여측량결과대비,결과표명재500 MHz이하,모형예측항우도적불학정도재윤허범위내.해모형응용우PCB급별,가정학방진PCB판적전자겸용정황,방진정도원고우사용IBIS모형.