激光技术
激光技術
격광기술
LASER TECHNOLOGY
2012年
3期
322-325
,共4页
薄膜%纳米硅晶粒%脉冲激光能量密度%Raman谱%X射线衍射谱
薄膜%納米硅晶粒%脈遲激光能量密度%Raman譜%X射線衍射譜
박막%납미규정립%맥충격광능량밀도%Raman보%X사선연사보
为了制备纳米硅薄膜,采用脉冲激光沉积系统,保持靶材和衬底间距不变,在不同激光能量条件下,得到一系列纳米Si薄膜.利用喇曼散射光谱和X射线衍射谱对晶粒尺寸进行了计算和分析,取得了几组数据.结果表明,改变脉冲激光能量时,纳米Si晶粒平均尺寸均随能量的增强先增大后减小；在单脉冲能量为300mJ时制备的纳米Si晶粒平均尺寸最大,为8.58nm.这一结果对纳米硅薄膜制备的研究有积极意义.
為瞭製備納米硅薄膜,採用脈遲激光沉積繫統,保持靶材和襯底間距不變,在不同激光能量條件下,得到一繫列納米Si薄膜.利用喇曼散射光譜和X射線衍射譜對晶粒呎吋進行瞭計算和分析,取得瞭幾組數據.結果錶明,改變脈遲激光能量時,納米Si晶粒平均呎吋均隨能量的增彊先增大後減小；在單脈遲能量為300mJ時製備的納米Si晶粒平均呎吋最大,為8.58nm.這一結果對納米硅薄膜製備的研究有積極意義.
위료제비납미규박막,채용맥충격광침적계통,보지파재화츤저간거불변,재불동격광능량조건하,득도일계렬납미Si박막.이용나만산사광보화X사선연사보대정립척촌진행료계산화분석,취득료궤조수거.결과표명,개변맥충격광능량시,납미Si정립평균척촌균수능량적증강선증대후감소；재단맥충능량위300mJ시제비적납미Si정립평균척촌최대,위8.58nm.저일결과대납미규박막제비적연구유적겁의의.
