半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
2期
80-84
,共5页
半导体激光器%高功率%量子阱%分别限制异质结构
半導體激光器%高功率%量子阱%分彆限製異質結構
반도체격광기%고공솔%양자정%분별한제이질결구
InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少.研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性.文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点,介绍了波长为808nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况.
InGaAsP/GaAs激光器能抑製暗線缺陷的形成,器件的突然失效及緩慢退化有所減少.研究錶明,高功率無鋁半導體激光器比有鋁的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性.文章分析比較瞭高功率有鋁和無鋁半導體激光器的優缺點,介紹瞭波長為808nm的高功率無鋁半導體激光器的髮展及國內外目前的研究狀況.
InGaAsP/GaAs격광기능억제암선결함적형성,기건적돌연실효급완만퇴화유소감소.연구표명,고공솔무려반도체격광기비유려적AlGaAs/GaAs격광기구유경고적가고성.문장분석비교료고공솔유려화무려반도체격광기적우결점,개소료파장위808nm적고공솔무려반도체격광기적발전급국내외목전적연구상황.
