半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
10期
1099-1102
,共4页
章宁琳%宋志棠%沈勤我%林成鲁
章寧琳%宋誌棠%瀋勤我%林成魯
장저림%송지당%침근아%림성로
超高真空电子束蒸发法%全耗尽SOI MOSFET%高k栅介质%ZrO2
超高真空電子束蒸髮法%全耗儘SOI MOSFET%高k柵介質%ZrO2
초고진공전자속증발법%전모진SOI MOSFET%고k책개질%ZrO2
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2,其中Zr∶O=1∶2.2,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2等杂质.扩展电阻法(SRP)和剖面透射电镜(XTEM)都表征出600℃退火样品清晰的ZrO2/top Si/BO/Si sub的结构,其中ZrO2/top Si界面陡直,没有界面产物生成.选区电子衍射显示薄膜在600℃快速退火后仍基本呈非晶态.研究了上述MOSOS结构的高频C-V性能,得到ZrO2薄膜的等效氧化物厚度EOT=9.3nm,相对介电常数ε≈21,平带电位VFB=-2.451eV.
採用超高真空電子束蒸髮法製備瞭用于全耗儘SOI場效應晶體管(MOSFET)中作為高k柵介質的ZrO2薄膜.X射線光電子能譜(XPS)分析結果顯示:ZrO2薄膜成分均一,為完全氧化的ZrO2,其中Zr∶O=1∶2.2,鋯氧原子比偏高可能是由于吸附瞭空氣中O2等雜質.擴展電阻法(SRP)和剖麵透射電鏡(XTEM)都錶徵齣600℃退火樣品清晰的ZrO2/top Si/BO/Si sub的結構,其中ZrO2/top Si界麵陡直,沒有界麵產物生成.選區電子衍射顯示薄膜在600℃快速退火後仍基本呈非晶態.研究瞭上述MOSOS結構的高頻C-V性能,得到ZrO2薄膜的等效氧化物厚度EOT=9.3nm,相對介電常數ε≈21,平帶電位VFB=-2.451eV.
채용초고진공전자속증발법제비료용우전모진SOI장효응정체관(MOSFET)중작위고k책개질적ZrO2박막.X사선광전자능보(XPS)분석결과현시:ZrO2박막성분균일,위완전양화적ZrO2,기중Zr∶O=1∶2.2,고양원자비편고가능시유우흡부료공기중O2등잡질.확전전조법(SRP)화부면투사전경(XTEM)도표정출600℃퇴화양품청석적ZrO2/top Si/BO/Si sub적결구,기중ZrO2/top Si계면두직,몰유계면산물생성.선구전자연사현시박막재600℃쾌속퇴화후잉기본정비정태.연구료상술MOSOS결구적고빈C-V성능,득도ZrO2박막적등효양화물후도EOT=9.3nm,상대개전상수ε≈21,평대전위VFB=-2.451eV.
