半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
9期
1159-1163
,共5页
汤晓燕%张义门%张玉明%郜锦侠%陈锐标
湯曉燕%張義門%張玉明%郜錦俠%陳銳標
탕효연%장의문%장옥명%고금협%진예표
碳化硅%肖特基势垒%MOSFET
碳化硅%肖特基勢壘%MOSFET
탄화규%초특기세루%MOSFET
分析了6H-SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素,随着温度升高,器件的特性将变得更好.
分析瞭6H-SiC肖特基源漏MOSFET的電流輸運機製,併建立瞭數值-解析模型.模型正確地計入瞭隧道電流和勢壘降低的影響,能準確反映器件的特性.模擬結果顯示,源極肖特基的勢壘高度是影響器件特性的主要因素,隨著溫度升高,器件的特性將變得更好.
분석료6H-SiC초특기원루MOSFET적전류수운궤제,병건립료수치-해석모형.모형정학지계입료수도전류화세루강저적영향,능준학반영기건적특성.모의결과현시,원겁초특기적세루고도시영향기건특성적주요인소,수착온도승고,기건적특성장변득경호.
