真空
真空
진공
VACUUM
2007年
6期
30-33
,共4页
韩东麟%张弓%庄大明%元金石%宋军
韓東麟%張弓%莊大明%元金石%宋軍
한동린%장궁%장대명%원금석%송군
太阳能电池%CIGS%磁控溅射%硒化%硒源
太暘能電池%CIGS%磁控濺射%硒化%硒源
태양능전지%CIGS%자공천사%서화%서원
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响.采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构.结果表明,在不同的硒源温度下制备的CIGS薄膜,均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向.当硒源温度为575℃、580℃和585℃时,CIGS薄膜表面结构疏松,多孔隙;当硒源温度为590℃、595℃和600℃时,CIGS薄膜结构致密,表面平整.当硒源温度为600℃时,Cu、In和Ga原子含量处于制备弱p型CIGS吸收层薄膜的理想范围.
採用中頻交流磁控濺射方法,在Mo層上沉積瞭CuInGa(CIG)預製膜,採用固態硒化法製備穫得瞭Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收層薄膜,攷察瞭硒源溫度對CIGS薄膜結構和形貌的影響.採用SEM和EDS觀察和分析瞭薄膜的錶麵形貌和成分,採用XRD錶徵瞭薄膜的組織結構.結果錶明,在不同的硒源溫度下製備的CIGS薄膜,均為黃銅礦相結構,薄膜具有(112)麵的擇優取嚮.噹硒源溫度為575℃、580℃和585℃時,CIGS薄膜錶麵結構疏鬆,多孔隙;噹硒源溫度為590℃、595℃和600℃時,CIGS薄膜結構緻密,錶麵平整.噹硒源溫度為600℃時,Cu、In和Ga原子含量處于製備弱p型CIGS吸收層薄膜的理想範圍.
채용중빈교류자공천사방법,재Mo층상침적료CuInGa(CIG)예제막,채용고태서화법제비획득료Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)흡수층박막,고찰료서원온도대CIGS박막결구화형모적영향.채용SEM화EDS관찰화분석료박막적표면형모화성분,채용XRD표정료박막적조직결구.결과표명,재불동적서원온도하제비적CIGS박막,균위황동광상결구,박막구유(112)면적택우취향.당서원온도위575℃、580℃화585℃시,CIGS박막표면결구소송,다공극;당서원온도위590℃、595℃화600℃시,CIGS박막결구치밀,표면평정.당서원온도위600℃시,Cu、In화Ga원자함량처우제비약p형CIGS흡수층박막적이상범위.
