半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
5期
980-983
,共4页
张庆钊%谢常青%刘明%李兵%朱效立%陈宝钦
張慶釗%謝常青%劉明%李兵%硃效立%陳寶欽
장경쇠%사상청%류명%리병%주효립%진보흠
等离子体%射频偏压%ICP%干法刻蚀
等離子體%射頻偏壓%ICP%榦法刻蝕
등리자체%사빈편압%ICP%간법각식
对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数--下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
對于上下電極雙射頻源的電感耦閤(ICP)等離子體刻蝕設備的關鍵工藝參數--下電極射頻偏壓的變化特性進行瞭實驗與物理定性分析.實驗以氧氣作為反應氣體,採用可滿足300mm硅晶片刻蝕的ICP刻蝕設備的射頻繫統進行實驗數據測定.結果錶明,下電極射頻偏壓與其他工藝參數在可適用的工藝窗口中(改變上下電極功率和氣體壓力)不再是平常認為的簡單的比例關繫,而是隨著條件的改變,對應的趨勢比例關繫會髮生轉摺性變化,這種變化在高上電極射頻、低下電極射頻功率和低氣壓的條件下很容易髮生.
대우상하전겁쌍사빈원적전감우합(ICP)등리자체각식설비적관건공예삼수--하전겁사빈편압적변화특성진행료실험여물리정성분석.실험이양기작위반응기체,채용가만족300mm규정편각식적ICP각식설비적사빈계통진행실험수거측정.결과표명,하전겁사빈편압여기타공예삼수재가괄용적공예창구중(개변상하전겁공솔화기체압력)불재시평상인위적간단적비례관계,이시수착조건적개변,대응적추세비례관계회발생전절성변화,저충변화재고상전겁사빈、저하전겁사빈공솔화저기압적조건하흔용역발생.
