半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
5期
713-715
,共3页
李建丰%李东仓%欧谷平%张福甲
李建豐%李東倉%歐穀平%張福甲
리건봉%리동창%구곡평%장복갑
葸薄膜%生长模式%SEM%AFM%XRD
葸薄膜%生長模式%SEM%AFM%XRD
사박막%생장모식%SEM%AFM%XRD
利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态.结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜.
利用常規的真空蒸髮技術,在熱氧化硅片的襯底上沉積瞭蒽薄膜.用掃描電子顯微鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)對不同沉積時間的蒽薄膜形貌進行瞭觀察,研究瞭蒸髮沉積蒽膜時膜在二氧化硅襯底上的成覈和生長模式,併藉助X射線衍射儀(XRD)分析瞭薄膜的結晶狀態.結果顯示:蒽膜生長時,蒽的臨界覈以Volmer-Weber模式生長,即蒽首先形成許多三維島狀的晶覈,覈長大增高為島,然後在蒽離域大π鍵的作用下,相鄰的兩層蒽分子存在一定程度的交疊,島與島相互連接構成島的通道,最後形成均勻緻密、具有良好晶體特性的多晶薄膜.
이용상규적진공증발기술,재열양화규편적츤저상침적료은박막.용소묘전자현미경(SEM)화원자력현미경(AFM)대불동침적시간적은박막형모진행료관찰,연구료증발침적은막시막재이양화규츤저상적성핵화생장모식,병차조X사선연사의(XRD)분석료박막적결정상태.결과현시:은막생장시,은적림계핵이Volmer-Weber모식생장,즉은수선형성허다삼유도상적정핵,핵장대증고위도,연후재은리역대π건적작용하,상린적량층은분자존재일정정도적교첩,도여도상호련접구성도적통도,최후형성균균치밀、구유량호정체특성적다정박막.
