稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2010年
12期
2169-2172
,共4页
胡强%魏同波%段瑞飞%羊建坤%霍自强%卢铁城%曾一平
鬍彊%魏同波%段瑞飛%羊建坤%霍自彊%盧鐵城%曾一平
호강%위동파%단서비%양건곤%곽자강%로철성%증일평
氮化镓%氢化物气相外延%自支撑厚膜%应力释放%荧光
氮化鎵%氫化物氣相外延%自支撐厚膜%應力釋放%熒光
담화가%경화물기상외연%자지탱후막%응력석방%형광
采用镀Ti插入层在氢化物外延设各中制各了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 aresee:5K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量.
採用鍍Ti插入層在氫化物外延設各中製各瞭高質量自支撐GaN厚膜.X射線衍射測試髮現(0002)峰搖襬麯線的半高寬為260 aresee:5K下樣品帶邊髮光峰的半高寬為3 meV,室溫下樣品的帶邊髮光峰也隻有20 meV,併且在室溫的PL譜中觀察不到黃光帶;掃描電子顯微鏡觀察顯示,腐蝕後的自支撐GaN厚膜錶麵有位錯延伸形成的六角坑,併估算齣樣品位錯密度約為2.1×107cm-2.這些結果說明鍍Ti插入層有助于提高GaN外延層的晶體質量.通過Raman和低溫熒光分析,可以看齣自支撐GaN厚膜錶麵應力已經完全釋放.研究瞭不同溫度下樣品的熒光特性,證明得到的無應力自支撐GaN厚膜具有很好的晶體質量和光學質量.
채용도Ti삽입층재경화물외연설각중제각료고질량자지탱GaN후막.X사선연사측시발현(0002)봉요파곡선적반고관위260 aresee:5K하양품대변발광봉적반고관위3 meV,실온하양품적대변발광봉야지유20 meV,병차재실온적PL보중관찰불도황광대;소묘전자현미경관찰현시,부식후적자지탱GaN후막표면유위착연신형성적륙각갱,병고산출양품위착밀도약위2.1×107cm-2.저사결과설명도Ti삽입층유조우제고GaN외연층적정체질량.통과Raman화저온형광분석,가이간출자지탱GaN후막표면응력이경완전석방.연구료불동온도하양품적형광특성,증명득도적무응력자지탱GaN후막구유흔호적정체질량화광학질량.
