核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2011年
5期
562-564,579
,共4页
姚昌胜%付凯%王果%陆敏
姚昌勝%付凱%王果%陸敏
요창성%부개%왕과%륙민
GaN%X射线探测器%光生电流%光淬灭
GaN%X射線探測器%光生電流%光淬滅
GaN%X사선탐측기%광생전류%광쉬멸
利用先进的半导体微加工技术制备了GaN基光导型X射线探测器,观察到其在荧光灯照射下对X射线的光电流响应有明显降低的光淬灭现象,以及在荧光灯关闭和开启瞬间电流值的突变现象,设计了各种不同情形下的光电流响应实验对这一光淬灭以及电流值突变现象进行了分析和研究,光淬灭主要是由于空穴陷阱和复合中心作用产生,而在荧光灯关闭和开启的瞬间,电流值的突变是由于荧光中某种波长的紫外光激发价带中的电子跃迁至导带中所致.
利用先進的半導體微加工技術製備瞭GaN基光導型X射線探測器,觀察到其在熒光燈照射下對X射線的光電流響應有明顯降低的光淬滅現象,以及在熒光燈關閉和開啟瞬間電流值的突變現象,設計瞭各種不同情形下的光電流響應實驗對這一光淬滅以及電流值突變現象進行瞭分析和研究,光淬滅主要是由于空穴陷阱和複閤中心作用產生,而在熒光燈關閉和開啟的瞬間,電流值的突變是由于熒光中某種波長的紫外光激髮價帶中的電子躍遷至導帶中所緻.
이용선진적반도체미가공기술제비료GaN기광도형X사선탐측기,관찰도기재형광등조사하대X사선적광전류향응유명현강저적광쉬멸현상,이급재형광등관폐화개계순간전류치적돌변현상,설계료각충불동정형하적광전류향응실험대저일광쉬멸이급전류치돌변현상진행료분석화연구,광쉬멸주요시유우공혈함정화복합중심작용산생,이재형광등관폐화개계적순간,전류치적돌변시유우형광중모충파장적자외광격발개대중적전자약천지도대중소치.
