半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
12期
944-947,967
,共5页
水听器检测%斩波运放%gm-C低通滤波器%增益放大器%动态范围%跨导运算放大器
水聽器檢測%斬波運放%gm-C低通濾波器%增益放大器%動態範圍%跨導運算放大器
수은기검측%참파운방%gm-C저통려파기%증익방대기%동태범위%과도운산방대기
提出了一种用于水听器电压检测的模拟前端电路,包括低噪声低失调斩波运算放大器,跨导电容(gm-C)低通滤波器,增益放大器三部分主体电路；低噪声低失调斩波运算放大器用于提取水听器前端传感器输出的微弱电压信号；gm-C低通滤波器用于滤除电压信号频率外的高频噪声和高次谐波；最后经过增益放大器放大至后级模数转换器的输入电压范围,输出数字码流；芯片采用台积电(TSMC)0.18 μm单层多晶硅六层金属(1P6M) CMOS工艺实现.测试结果表明,在电源电压1.8V,输入信号25 kHz和200 kHz时钟频率下,斩波运放输入等效失调电压小于110μV;整体电路输出信号动态范围达到80 dB,功耗5.1 mW,满足水听器的检测要求.
提齣瞭一種用于水聽器電壓檢測的模擬前耑電路,包括低譟聲低失調斬波運算放大器,跨導電容(gm-C)低通濾波器,增益放大器三部分主體電路；低譟聲低失調斬波運算放大器用于提取水聽器前耑傳感器輸齣的微弱電壓信號；gm-C低通濾波器用于濾除電壓信號頻率外的高頻譟聲和高次諧波；最後經過增益放大器放大至後級模數轉換器的輸入電壓範圍,輸齣數字碼流；芯片採用檯積電(TSMC)0.18 μm單層多晶硅六層金屬(1P6M) CMOS工藝實現.測試結果錶明,在電源電壓1.8V,輸入信號25 kHz和200 kHz時鐘頻率下,斬波運放輸入等效失調電壓小于110μV;整體電路輸齣信號動態範圍達到80 dB,功耗5.1 mW,滿足水聽器的檢測要求.
제출료일충용우수은기전압검측적모의전단전로,포괄저조성저실조참파운산방대기,과도전용(gm-C)저통려파기,증익방대기삼부분주체전로；저조성저실조참파운산방대기용우제취수은기전단전감기수출적미약전압신호；gm-C저통려파기용우려제전압신호빈솔외적고빈조성화고차해파；최후경과증익방대기방대지후급모수전환기적수입전압범위,수출수자마류；심편채용태적전(TSMC)0.18 μm단층다정규륙층금속(1P6M) CMOS공예실현.측시결과표명,재전원전압1.8V,수입신호25 kHz화200 kHz시종빈솔하,참파운방수입등효실조전압소우110μV;정체전로수출신호동태범위체도80 dB,공모5.1 mW,만족수은기적검측요구.
