LGS晶体的化学腐蚀及缺陷分布
LGS정체적화학부식급결함분포
Chemical etching and defect distribution of langasite (La3Ga5SiO14) crystals
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2003年 2期 184-186 ,共3页

    黄庆捷%孔海宽%李军%高磊%葛文伟%张怀金%胡小波%江怀东%王继扬

    황경첩%공해관%리군%고뢰%갈문위%장부금%호소파%강부동%왕계양

    La3Ga5SiO14%化学腐蚀%缺陷%提拉法 La3Ga5SiO14%化學腐蝕%缺陷%提拉法
    La3Ga5SiO14%화학부식%결함%제랍법
    采用提拉法生长得到LGS单晶,采用磷酸作腐蚀剂,对LGS晶体做了一系列腐蚀实验.实验结果表明:对于不同方向晶面,腐蚀液的配比和腐蚀时间等条件各不相同.根据腐蚀坑可以判定.其极轴是二次轴[1120]方向,并可具体确定极轴方向.关于腐蚀坑的分布可以判定,在现行条件下生长的晶体具有较高的质量.
    채용제랍법생장득도LGS단정,채용린산작부식제,대LGS정체주료일계렬부식실험.실험결과표명:대우불동방향정면,부식액적배비화부식시간등조건각불상동.근거부식갱가이판정.기겁축시이차축[1120]방향,병가구체학정겁축방향.관우부식갱적분포가이판정,재현행조건하생장적정체구유교고적질량.
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