半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
6期
1187-1190
,共4页
陶凯%董业民%易万兵%王曦%邹世昌
陶凱%董業民%易萬兵%王晞%鄒世昌
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DSOI%SIMOX%埋氧层
DSOI%SIMOX%埋氧層
DSOI%SIMOX%매양층
利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备.在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下,可以得到间隔为180nm的埋氧层.通过TEM(transmission electron microscope)观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷.该结果为DSOI(dain/source on insulator)器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础.
利用低劑量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)圖形化技術實現瞭深亞微米間隔埋氧層的製備.在二氧化硅掩膜呎吋為172nm的情況下,可以得到間隔為180nm的埋氧層.通過TEM(transmission electron microscope)觀察髮現埋層形貌完整、界麵陡峭、無硅島及其他缺陷.該結果為DSOI(dain/source on insulator)器件嚮更小呎吋髮展奠定瞭工藝基礎.
이용저제량、저능량적SIMOX(separation by implanted oxygen)도형화기술실현료심아미미간격매양층적제비.재이양화규엄막척촌위172nm적정황하,가이득도간격위180nm적매양층.통과TEM(transmission electron microscope)관찰발현매층형모완정、계면두초、무규도급기타결함.해결과위DSOI(dain/source on insulator)기건향경소척촌발전전정료공예기출.
