光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
2期
147-150
,共4页
朱飞剑%华玉林%印寿根%邓家春%吴空物%牛霞%吴晓明
硃飛劍%華玉林%印壽根%鄧傢春%吳空物%牛霞%吳曉明
주비검%화옥림%인수근%산가춘%오공물%우하%오효명
Zn(BTZ)2%膜厚%白光%电致激基发光
Zn(BTZ)2%膜厚%白光%電緻激基髮光
Zn(BTZ)2%막후%백광%전치격기발광
制备了结构为ITO/TPD/Zn(BTZ)2Al的有机电致发光(EL)器件,经测试发现,Zn(BTZ)2发光层厚度对器件EL光谱有较大影响.当Zn(BTZ)2层厚度分别被控制在50和80 nm时,EL谱中都只有1个峰,其峰值分别为580和470 nm;当Zn(BTZ)2层厚度被控制在50～80 nm时,EL谱同时出现470和580 nm的2个峰,且它们的相对发光强度与Zn(BTZ)2层厚度也有关系,随着Zn(BTZ)2层厚度越接近80 nm(或50 nm)时,EL谱峰值为470 nm的光就相对越强(或弱),峰值为580 nm的光就相对越弱(或强).通过调整Zn(BTZ)2层厚度,在65 nm左右时得到色度较好的白光器件,其色坐标为(0.33,0.33).为了研究器件的光致发光(PL)谱,制备结构为TPD/Zn(BTZ)2的有机薄膜,经测试发现,薄膜PL谱与Zn(BTZ)2层厚度无关,其光谱峰值在480 nm处,与相关文献报道一致.对上述现象进行了分析.
製備瞭結構為ITO/TPD/Zn(BTZ)2Al的有機電緻髮光(EL)器件,經測試髮現,Zn(BTZ)2髮光層厚度對器件EL光譜有較大影響.噹Zn(BTZ)2層厚度分彆被控製在50和80 nm時,EL譜中都隻有1箇峰,其峰值分彆為580和470 nm;噹Zn(BTZ)2層厚度被控製在50～80 nm時,EL譜同時齣現470和580 nm的2箇峰,且它們的相對髮光彊度與Zn(BTZ)2層厚度也有關繫,隨著Zn(BTZ)2層厚度越接近80 nm(或50 nm)時,EL譜峰值為470 nm的光就相對越彊(或弱),峰值為580 nm的光就相對越弱(或彊).通過調整Zn(BTZ)2層厚度,在65 nm左右時得到色度較好的白光器件,其色坐標為(0.33,0.33).為瞭研究器件的光緻髮光(PL)譜,製備結構為TPD/Zn(BTZ)2的有機薄膜,經測試髮現,薄膜PL譜與Zn(BTZ)2層厚度無關,其光譜峰值在480 nm處,與相關文獻報道一緻.對上述現象進行瞭分析.
제비료결구위ITO/TPD/Zn(BTZ)2Al적유궤전치발광(EL)기건,경측시발현,Zn(BTZ)2발광층후도대기건EL광보유교대영향.당Zn(BTZ)2층후도분별피공제재50화80 nm시,EL보중도지유1개봉,기봉치분별위580화470 nm;당Zn(BTZ)2층후도피공제재50～80 nm시,EL보동시출현470화580 nm적2개봉,차타문적상대발광강도여Zn(BTZ)2층후도야유관계,수착Zn(BTZ)2층후도월접근80 nm(혹50 nm)시,EL보봉치위470 nm적광취상대월강(혹약),봉치위580 nm적광취상대월약(혹강).통과조정Zn(BTZ)2층후도,재65 nm좌우시득도색도교호적백광기건,기색좌표위(0.33,0.33).위료연구기건적광치발광(PL)보,제비결구위TPD/Zn(BTZ)2적유궤박막,경측시발현,박막PL보여Zn(BTZ)2층후도무관,기광보봉치재480 nm처,여상관문헌보도일치.대상술현상진행료분석.
