半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
4期
402-405
,共4页
贾寒昕%徐运华%亢勇%李向阳
賈寒昕%徐運華%亢勇%李嚮暘
가한흔%서운화%항용%리향양
焦平面%读出电路%紫外%可见光%GaN
焦平麵%讀齣電路%紫外%可見光%GaN
초평면%독출전로%자외%가견광%GaN
GaN材料对可见光是透明的,而Si材料可以吸收可见光.在面阵GaN基紫外焦平面中,GaN探测器与Si读出电路通过铟柱倒焊互连,可见光可穿过GaN材料而被Si材料吸收.研究了可见光对于GaN基紫外焦平面读出电路影响的机制,并提出了通过在电路中覆盖铝层的方法减小可见光的影响,最后用实验证实了此方法对于抑制可见光干扰的影响的有效性.
GaN材料對可見光是透明的,而Si材料可以吸收可見光.在麵陣GaN基紫外焦平麵中,GaN探測器與Si讀齣電路通過銦柱倒銲互連,可見光可穿過GaN材料而被Si材料吸收.研究瞭可見光對于GaN基紫外焦平麵讀齣電路影響的機製,併提齣瞭通過在電路中覆蓋鋁層的方法減小可見光的影響,最後用實驗證實瞭此方法對于抑製可見光榦擾的影響的有效性.
GaN재료대가견광시투명적,이Si재료가이흡수가견광.재면진GaN기자외초평면중,GaN탐측기여Si독출전로통과인주도한호련,가견광가천과GaN재료이피Si재료흡수.연구료가견광대우GaN기자외초평면독출전로영향적궤제,병제출료통과재전로중복개려층적방법감소가견광적영향,최후용실험증실료차방법대우억제가견광간우적영향적유효성.
