辽宁大学学报（自然科学版）
遼寧大學學報（自然科學版）
료녕대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LIAONING UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2009年
1期
13-17
,共5页
带隙基准电压源%曲率校正%负反馈回路%RC滤波器
帶隙基準電壓源%麯率校正%負反饋迴路%RC濾波器
대극기준전압원%곡솔교정%부반궤회로%RC려파기
提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2 μm BiCMOS工艺进行设计和仿真, spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V～5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV,基准的最大静态电流约为11.27 μA;当温度-40 ℃～120 ℃范围内,基准温度系数为1 mV;在电源电压为3.6 V时,基准的总电流约为10.6 μA,功耗约为38.16 μW;并且基准在低频时具有100 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),基准的输出启动时间约为39 μs.
提齣瞭一種新穎的利用負反饋環路以及RC濾波器提高電源抑製比的高精密CMOS帶隙基準電壓源.採用上海貝嶺的1.2 μm BiCMOS工藝進行設計和倣真, spectre模擬錶明該電路具有較高的精度和穩定性,帶隙基準的輸齣電壓為1.254 V,在2.7 V～5.5 V電源電壓範圍內基準隨輸入電壓的最大偏移為0.012 mV,基準的最大靜態電流約為11.27 μA;噹溫度-40 ℃～120 ℃範圍內,基準溫度繫數為1 mV;在電源電壓為3.6 V時,基準的總電流約為10.6 μA,功耗約為38.16 μW;併且基準在低頻時具有100 dB以上的電源電壓抑製比(PSRR),基準的輸齣啟動時間約為39 μs.
제출료일충신영적이용부반궤배로이급RC려파기제고전원억제비적고정밀CMOS대극기준전압원.채용상해패령적1.2 μm BiCMOS공예진행설계화방진, spectre모의표명해전로구유교고적정도화은정성,대극기준적수출전압위1.254 V,재2.7 V～5.5 V전원전압범위내기준수수입전압적최대편이위0.012 mV,기준적최대정태전류약위11.27 μA;당온도-40 ℃～120 ℃범위내,기준온도계수위1 mV;재전원전압위3.6 V시,기준적총전류약위10.6 μA,공모약위38.16 μW;병차기준재저빈시구유100 dB이상적전원전압억제비(PSRR),기준적수출계동시간약위39 μs.
